TSM2318CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2318CX RFG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23

Снят с производстваTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds540 pF @ 20 V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.25W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)