Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET P-CH 100V 22A ITO220
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 30 V |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 48W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Корпус производителя | ITO-220 |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|