Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 250mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 138 pF @ 25 V |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2.5W (Tc) |
| Корпус | Cut Tape (CT) Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус производителя | TO-92 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|