TSM1N45DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1N45DCS RLG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.25Ohm @ 250mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds185 pF @ 25 V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±50V
Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 250mA

Электрические

Напряжение сток-исток450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность900mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)