TSM1N45CT B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1N45CT B0G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92

УстаревшийTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.25Ohm @ 250mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds235 pF @ 25 V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.25V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус производителяTO-92

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)