TSM170N06PQ56

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06PQ56

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

60V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1556 pF @ 30 V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta), 44A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.6W (Ta), 73.5W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PDFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)