Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 600V 10A ITO220
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1738 pF @ 25 V |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 50W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Корпус производителя | ITO-220 |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|