TSM076NH04DCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM076NH04DCR RLG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 40V 14A/34A 8PDFNU

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.6mOhm @ 17A, 10V
Базовый Part NumberTSM076N
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1217pF @ 25V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPerFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 34A (Tc)
Power - Max55.6W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PDFNU (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)