TSM043NH04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM043NH04LCR RLG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2480 pF @ 25 V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияPerFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 54A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность100W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PDFNU (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)