TSM025NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM025NB04CR RLG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN

В производстве8-PowerLDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 24A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7150 pF @ 20 V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta), 161A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta), 136W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerLDFN
Корпус производителя8-PDFN (5.2x5.75)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)