Общие
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 250mA, 1A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 250mA, 10V |
| Power - Max | 1 W |
Механические
| Корпус | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус производителя | TO-92 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|