TQM032NH04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TQM032NH04CR RLG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4344 pF @ 25 V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияPerFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 81A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность115W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101