TQM025NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TQM025NB04CR RLG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 24A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6670 pF @ 20 V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta), 157A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta), 136W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PDFNU (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)