TPMR10G S1G

Taiwan Semiconductor Corporation

TPMR10G S1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 400V 10A TO277A

В производствеTO-277, 3-PowerDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberTPMR10
Capacitance @ Vr, F140pF @ 4V, 1MHz
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 400 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-277, 3-PowerDFN
Корпус производителяTO-277A (SMPC)

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C