Общие
| Capacitance @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | Schottky |
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12H
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 20V 1A TS-1
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550 mV @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 µA @ 20 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | T-18, Axial |
| Корпус производителя | TS-1 |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 125°C |
| Qualification | AEC-Q101 |