Общие
| Базовый Part Number | S3D |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Discontinued at |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5 µs |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
S3DHM6G
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Корпус производителя | DO-214AB (SMC) |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |