Общие
| Базовый Part Number | S1ML |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.8 µs |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RTG
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | DO-219AB |
| Корпус производителя | Sub SMA |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|