Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | HS1D |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Технология | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | SOD-123F |
|---|---|
| Корпус производителя | SOD-123F |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|