Общие
| Capacitance @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
HERA802G
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Корпус производителя | TO-220AC |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|