Общие
| Diode Type | Single Phase |
|---|---|
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBL103GH
Аналоговые и силовые компоненты
50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус производителя | DBL |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |