Общие
| Diode Type | Single Phase |
|---|---|
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU801
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE BRIDGE 8A 50V GBU
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 50 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 4-ESIP, GBU |
| Корпус производителя | GBU |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|