Общие
| Базовый Part Number | ESH1 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 3pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH1DM RSG
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 200 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 2-SMD, Flat Lead |
| Корпус производителя | Micro SMA |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|