Общие
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5 ns |
| Технология | Schottky |
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS85 L0
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTT 30V 200MA MINI MELF
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800 mV @ 100 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 25 V |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Корпус | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Корпус производителя | Mini MELF |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|