Общие
| Базовый Part Number | 31DF6 |
|---|---|
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
31DF6
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 600 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Корпус производителя | DO-201AD |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|