Общие
| Базовый Part Number | 1N914 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
1N914BW RHG
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 100 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 150mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 75 V |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOD-123F |
| Корпус производителя | SOD-123F |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
|---|