Общие
| Базовый Part Number | 1N5401 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Discontinued at |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5401GHA0G
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Корпус производителя | DO-201AD |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |