TSB582IQ2T

STMicroelectronics

TSB582IQ2T

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

HIGH OUTPUT CURRENT WITH THERMAL

В производстве8-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип выходаRail-to-Rail
Тип усилителяCMOS
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive

Электрические

Выходной ток на канал200 mA
Входное напряжение смещения2.4 mV
Макс. диапазон питания36 V
Мин. диапазон питания2 V
Входной ток смещения2 nA
Ток питания2.5mA (x2 Channels)
Полоса единичного усиления3.1 MHz
Количество цепей2
Скорость нарастания2V/µs

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-DFN (3x3)

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C