STW78N65M5

STMicroelectronics

STW78N65M5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 69A TO247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 34.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9000 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияMDmesh™ V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C69A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность450W (Tc)

Механические

КорпусTube

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101