STW68N65DM6-4AG

STMicroelectronics

STW68N65DM6-4AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4

В производствеTO-247-4Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 36A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5900 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияMDmesh™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C72A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность480W (Tc)

Механические

КорпусTube
Корпус производителяTO-247-4

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101