STW68N60M6

STMicroelectronics

STW68N60M6

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V TO247-3

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 31.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4360 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияMDmesh™ M6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C63A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность390W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)