STW60NE10

STMicroelectronics

STW60NE10

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3

УстаревшийTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5300 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Статус позицииУстаревший
СерияSTripFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность180W (Tc)

Механические

Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Рабочая температура175°C (TJ)