STW4N150

STMicroelectronics

STW4N150

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPowerMESH™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность160W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)