STW47NM60ND

STMicroelectronics

STW47NM60ND

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

УстаревшийTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs88mOhm @ 17.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4200 pF @ 50 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияFDmesh™ II
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность255W (Tc)

Механические

КорпусTube

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101