STW3N170

STMicroelectronics

STW3N170

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs13Ohm @ 1.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPowerMESH™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность160mW

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)