STW13NB60

STMicroelectronics

STW13NB60

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3

УстаревшийTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 6.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияPowerMESH™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность190W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)