STV270N4F3

STMicroelectronics

STV270N4F3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO

Снят с производстваPowerSO-10 Exposed Bottom PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7500 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииLast Time Buy
СерияSTripFET™ III
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C270A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность300W (Tc)

Механические

Package / CasePowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Корпус производителя10-PowerSO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)