STU6N90K5

STMicroelectronics

STU6N90K5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 900V 6A IPAK

В производствеTO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 3A, 10V
Базовый Part NumberSTU6N90
FET TypeN-Channel
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияMDmesh™ K5
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность110W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус производителяIPAK (TO-251)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)