STT5N2VH5

STMicroelectronics

STT5N2VH5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V SOT23-6

Снят с производстваSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds367 pF @ 16 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияSTripFET™ V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность1.6W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
Корпус производителяSOT-23-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)