STS5DP3LLH6

STMicroelectronics

STS5DP3LLH6

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 2.5A, 10V
Базовый Part NumberSTS5D
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds639pF @ 25V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияDeepGATE™, STripFET™ H6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Power - Max2.7W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)