STS3C2F100

STMicroelectronics

STS3C2F100

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 1.5A, 10V
Базовый Part NumberSTS3C2
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 25V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияSTripFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)