STS2DPFS20V

STMicroelectronics

STS2DPFS20V

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds315 pF @ 15 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияSTripFET™ II
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)