STS1DNC45

STMicroelectronics

STS1DNC45

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 500mA, 10V
Базовый Part NumberSTS1D
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSuperMESH™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA
Power - Max1.6W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)