STS10DN3LH5

STMicroelectronics

STS10DN3LH5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Снят с производства8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 5A, 10V
Базовый Part NumberSTS10
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds475pF @ 25V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияSTripFET™ V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max2.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)