STPSC8H065D

STMicroelectronics

STPSC8H065D

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

650 V, 8 A High surge Silicon Ca

В производствеTO-220-2Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberSTPSC8
Capacitance @ Vr, F414pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.75 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr80 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-2
Корпус производителяTO-220AC

Среда

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C