STPSC10065G2-TR

STMicroelectronics

STPSC10065G2-TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F670pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
СерияECOPACK®2
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr130 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Корпус производителяD2PAK

Среда

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C