STP80N450K6

STMicroelectronics

STP80N450K6

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 400 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияECOPACK®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность100W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)