STP78NF55-08

STMicroelectronics

STP78NF55-08

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 550V TO-220

УстаревшийTubeАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 40A, 10V
Базовый Part NumberSTP78N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3740 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияSTripFET™ II
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность300W (Tc)

Механические

КорпусTube
Корпус производителяTO-220

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)