STP45N40DM2AG

STMicroelectronics

STP45N40DM2AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 400V 38A TO220

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность250W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)