STP30N20

STMicroelectronics

STP30N20

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 15A, 10V
Базовый Part NumberSTP30N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1597 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияSTripFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность125W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)