STP185N10F3

STMicroelectronics

STP185N10F3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 120A TO220

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 60A, 10V
Базовый Part NumberSTP185
FET TypeN-Channel
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияSTripFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность300W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)